Властивості дефектів структури у фосфіді галію та їхній вплив на параметри світлодіодів

Abstract

Дисертаційна робота присвячена вивченню властивостей вихідних світлодіодів GaP і впливу радіаційних дефектів на спектри електролюмінесценції та вольт-амперні характеристики цих об’єктів. Опромінення зразків різними дозами проводилося електронами з Е = 2 МеВ на прискорювачі ИЛУ-6 та швидкими нейтронами дослідницького ядерного реактора ВВР-М. This work is devoted to the properties studying of the GaP light emitting diodes’ (LEDs’) and the radiation defects influence on the electroluminescence spectra and current-voltage characteristics. The specimens were irradiated different doses of electrons with E = 2 MeV at the accelerator ILU-6 and by fast neutrons of the research reactor WWR-M.