Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: dspace.pdpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/316
Назва: Вплив домішок атомарного водню на електричні та оптичні властивості монокристалів cdte і cd1-xznxte, вирощених методом сублімації
Інші назви: Influence of impurities of atomic hydrogen on electrical and optical properties single crystals cdte and cd1-xznxte, grown by sublimation
Автори: Британ, Віктор Богданович
Brytan, Victor Bohdanovych
Ключові слова: фотолюмінесценція
монокристали CdTe
Cd1-xZnxTe
термообробка
газовий розряд
метод сублімації
photoluminescencе
monocrystals of CdTe
CdxZn1-xTe
heat treatment
gas discharge
method of sublimation
Дата публікації: 2014
Видавництво: Південноукраїнський національний педагогічний університет імені К.Д. Ушинського
Бібліографічний опис: Британ В. Б. Вплив домішок атомарного водню на електричні та оптичні властивості монокристалів CdTe і CdZnTe, вирощених методом сублімації [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Віктор Богданович Британ; наук. кер. Р. М. Пелещак; ДЗ "Південноукр. нац. пед. ун-т ім. К. Д. Ушинського". – Одеса, 2014. – 133 с.
Короткий огляд (реферат): У дисертації здійснено дослідження впливу домішок атомарного водню та умов відпалу на електричні та оптичні властивості монокристалів CdTe, Cd1-xZnxTe вирощених методом сублімації. У роботі проведено комплексне дослідження структурних, електричних, оптичних характеристик кристалів CdTe і Cd1-xZnxTe. Dissertation is devoted research influence of atomic hydrogen doping as well as annealing conditions on electric and optic properties of monocrystals of CdTe and CdZnTe grown by the in the hydrogen atmosphere sublimation method which allows to grow high-resistance and structurally homogeneous a long a bar CdTe and CdZnTe monocrystals. In this work complex research CdTe and CdxZn1-xTe crystals structure, electric and optic properties have been carried out. It is experimentally showed that after hydrogen atmosphere technological treatment of low-resistance Cd0,6Zn0,4Te ( ; 300 К) samples takes place three order sharp its resistivity increasing. This resistivity increasing is due to passivation of fine electric active centers with activation energy ~ 0.05 eV – 0.2 eV. Electrostatic-deformation model of atomic hydrogen passivation compressing (stretching) type defects electric active centers in CdTe and CdxZn1-xTe semiconductors have been constructed. It is set that when the concentration of atomic hydrogen does not exceed the acceptors concentration there is strengthening of electric active centers passivation.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): dspace.pdpu.edu.ua/jspui/handle/123456789/316
Розташовується у зібраннях:Дисертації

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
БРИТАН ВІКТОР БОГДАНОВИЧ .pdf3.96 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.